| 企业等级： | 普通会员 |
| 经营模式： | 生产加工 |
| 所在地区： | 广东 东莞 |
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硅化石墨的制备
硅化石墨的生产方法主要有三种化学气相沉积法(CVD)，化学气相反应法(CVR)及液硅渗透反应法。
1.化学气相沉积(CVD))法
使含硅、碳的气体通过高温石墨基体发生热分解，生成SiC沉积在石墨基体表面。原料为(CH3SiC3)、氢、硅蒸气等。沉积温度范围较宽，从1175℃到1775℃。用此法生成的SiC层非常致密，厚薄均匀，一般厚度约为0.1～0.3mm。但SiC与石墨基体的结合为纯机械结合，结合力较弱，在温度急变时SiC层易发生龟裂、剥落。
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一个来自美国威廉玛丽学院的博士毕业生在检测石墨烯时灵感大发，河北真空泵碳片，用常见的光学显微镜设备和图片处理软件创新出一种巧妙的检测技术，得到导师的高度评价，正在广泛推广。他们的技术相比现有石墨烯检测技术，设备简单，成本降低到十分之一，检测速度也快上十倍，它的出现使消费品级石墨烯产品大规模生产向前迈进一大步。
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石墨烯作为未来材料具有***潜力，它是地球上强的材料，硬度也属第壹第二，何况它还具有的导电性。但不管怎么说，KVT3.100真空泵碳片，它还是像钻石一样，DVT3.60真空泵碳片，是碳的同素异形体。
科学家们一直试图制备出单层的石墨烯薄片来制造飞机机身或半导体，但将这些如此小的纳米级石墨烯薄片组装起来也面临着很多挑战。因为从这些微小的薄片到后构成宏观成品的过程中，需要消耗的石墨烯薄片量是非常可观的，所以我们首先应该想出一种较好的技术来制备他们。
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